巨头打架，手机总算要降价了
作者 | 荣智慧
编辑 | 向现
唯物的中国芯片产业深度观察
9月18日，据外媒援引三名知情人士消息，国内DRAM（内存芯片）龙头长鑫存储，正筹备进入NAND Flash（闪存芯片）市场。
一时间，“戗行”议论四起。
在中国存储市场，格局一贯是“楚河汉界”——长鑫存储做内存、长江存储做闪存。而早在去年4月，长江存储的DRAM也已经送样。号角破空，中国存储两大巨头秣马厉兵，杀进对方“大本营”。
这一打破旧有格局的事件，将对产业造成什么样的影响？
关键是，对于苦等降价的消费者来说，手机的价格是不是终于要“便宜”了？
第二战场
不等NAND扩产，利好消费者的消息已经传来。
9月20日的世界制造业大会，长鑫科技（长鑫存储母公司）宣布第五代技术平台量产，存储密度大幅提升。同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比，提升了50%以上。
长鑫存储
意思是，同样大小一张晶圆，新一代平台能比上一代多切出一半的芯片。这是非常惊人的技术突破，标志着长鑫在微缩工艺和架构设计上实现了重大升级，单颗高端内存的硬性制造成本至少下降超三分之一。
在半导体界，晶圆产出率就是核心竞争力。提升50%，能大幅度降低单颗芯片的成本，相当于产能变相暴涨，正好为“戗行”提供资金弹药——正因为DRAM的成本因第五代平台量产而大幅降低，长鑫可以拿到更高的利润率。“恐怖”的是，其2026年第二季度息税前利润率高达82%。
造NAND极其烧钱，其烧钱程度在整个工业界名列前茅。如果制造普通芯片是烧纸币，制造先进NAND就跟“烧黄金”差不多，所以长江存储正筹备上市。
NAND业已全面进入3D NAND时代，把电路像盖楼一样一层层叠起来以增加容量。行业从64层、128层，一路卷到300层、400层甚至更高。每往前推进一代，都需要重新设计材料结构，攻克物理极限，每一次技术路线的研发和试错，都要至少砸进去几十亿元。
NAND架构示意图
此番杀入NAND，长鑫存储要在原本DRAM的巨额投入之外，再开辟一个同样烧钱、技术难度极高的第二战场。
好在长鑫不差钱。
7月27日正式登陆上交所科创板，长鑫科技创下亚洲年内规模最大、科创板史上最大的IPO，募资近580亿元。首日股价暴涨超470%，收盘市值3.28万亿元，当下市值约5.98万亿元，力克工商银行、贵州茅台，登顶A股上市公司市值榜首。在全球DRAM行业，长鑫科技市场份额超8%，仅次于三星、SK海力士和美光。
2025-2026第二季度全球DRAM市场按营收划分的份额
据报道，长鑫计划在北京新建工厂内设立NAND研发生产线，并已在北京成立研究机构，相关项目包括NAND技术研发。
“鸭子划水”
中国最大3D NAND巨头长江存储进军DRAM，江湖人称“鸭子划水”——水面之上风平浪静，水面之下暗暗发力，早已秘密研发并完成了产品布局。
长江存储切入DRAM这条赛道，一开始并没有“大张旗鼓”，而是先研发、后建厂，秘密“潜伏”了一阵子。早在2025年4月，长江存储已经将成功自研的低功耗内存样品送到了核心客户手中。到今年年初，长江存储的LPDDR5进入样品测试尾声阶段，预计在年底前便可根据客户反馈敲定最终的量产决策。
制造DRAM同样消耗晶圆厂的产能，长江存储在武汉大本营建立了全新的第三座芯片工厂。这座工厂一半生产NAND，一半生产DRAM。一旦全面投产，该工厂将拥有月产10万片12英寸晶圆的能力。
9月16日，据报道长江存储已经着手该工厂的生产设备连接工作，年底初步投产前景日益明朗。
长江存储能跨界做DRAM，一大核心原因是拥有名震天下的独家专利架构——Xtacking（晶圆键合技术）。传统DRAM制造，需要在同一片晶圆上把逻辑控制电路和存储电容单元一起做出来，而利用Xtacking可以在两片独立晶圆上分别加工不同的电路，再通过数十亿根垂直微通道将它们“合体”。
“霸主”三星与长江存储正式签署Xtacking混合键合专利许可协议，引起业内轰动。由于三星在其第10代及之后的V-NAND中很难绕开这项技术，不得不选择向中国厂商支付专利费。
长江存储自研Xtacking技术
长江存储需要烧的钱不比长鑫存储少。
随着长鑫科技成功上市、笑傲群雄，长江存储不甘示弱，其母公司长存集团的IPO申请于8月被上交所受理。长存集团拟募集330亿元，超越了长鑫科技的纪录（295亿元），成为科创板历史拟募资金额最高的项目。这笔资金中很大一部分将直接砸向支持DRAM制造的生产线。
IPO审核可谓“光速”推进。9月初，上交所正式发出首轮问询，标志着审核流程进入快车道。市场普遍预测，其上市估值将达到3000亿元。
今年年初开始，长江存储迎来“名利双收”。得益于AI算力、企业级SSD对NAND的大规模需求爆发，今年第一、二季度，长江存储在NAND的出货量和销售额份额双双达到14%，历史性地超越了美光和铠侠，首次升至全球第三大NAND厂商，仅次于三星和SK海力士。
2026年第一、二季度，长鑫存储NAND市场份额超过美光和铠侠
长江存储今年一季度营收470.42亿元，归母净利润333.79亿元，仅一个季度的利润就超过了2025年全年利润的两倍以上，综合毛利率冲上76.77%的极高水平，盈利规模在单季度甚至一度压过了长鑫科技。
火力交叉
市场预计长江存储发行估值3000亿元，跟长鑫上市估值5792亿元差得不算太多。而且，DRAM的商业天花板天然高于NAND，其制造HBM（多层DRAM堆叠）的AI溢价也更高。
HBM工艺示意图
按照当下局面，长鑫“戗行”做NAND，长江存储“戗行”做DRAM，当长江存储挂牌上市后，中国存储“双子星”在资本市场同台竞技，两者的市值差距会明显缩小。
最有趣的是，两家厂商虽然互相“戗行”，但在面对美国针对HBM的严苛封锁，却齐齐展现了极强的国家队协同效应。
当下，制约国内AI芯片算力释放的最大瓶颈就是HBM，二者的合作堪称“默契”：首先，长鑫出原料，提供最基础的DRAM晶圆，长存出技术，提供Xtacking。
同时，海外三巨头做HBM，依赖的是微凸点技术和极紫外光刻机。长鑫存储和长江存储合作推进了20层HBM研发，尝试用后者的铜-铜键合技术，将前者的DRAM直接“并”在一起。这个办法不需要极紫外光刻机，用现有的国产DUV也能做。
另外，长鑫已经在其G4/G5工艺上，小规模试产了HBM3E模块，将通过长江存储的封装方案，在2027年实现12层HBM3E的大规模扩产和量产，全方位供给国产AI服务器。
在面对下游客户（如小米、传音、阿里云、腾讯以及朗科、江波龙等存储模组厂）时，长鑫和长江存储经常以“存算一体化国产组合”的姿态联合进驻供应链。
比如，在智能手机或AI数据中心服务器的采购上，长鑫的LPDDR5X和长江存储的消费级/企业级NAND，企业干脆“一站式”采购就是了。两家产品在主板上的兼容性、联合调优方面无缝集成，不仅面对西方买家有了更高的溢价筹码，也让国内客户实现了存储的100%国产自给自足。
而且，巨头的产品“火力交叉”，一般都对消费者有利。中国两家存储企业逐渐转型为全品类存储巨头，既能打破海外定价权，也能把越来越高的手机、PC价格“打下来”。
以前要多花1000元才能从12GB+256GB升级到24GB+1TB的手机配置，在二巨头“戗行”扩产的情况下将不复存在。大内存将从“奢侈品”降级为“千元机标配”，数码产品的起步规格被全线拉高。
就让“1TB自由”快点到来。
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