巨頭打架，手機總算要降價了
作者 | 榮智慧
編輯 | 向現
唯物的中國晶元產業深度觀察
9月18日，據外媒援引三名知情人士消息，國內DRAM（內存晶元）龍頭長鑫存儲，正籌備進入NAND Flash（快閃記憶體晶元）市場。
一時間，「戧行」議論四起。
在中國存儲市場，格局一貫是「楚河漢界」——長鑫存儲做內存、長江存儲做快閃記憶體。而早在去年4月，長江存儲的DRAM也已經送樣。號角破空，中國存儲兩大巨頭秣馬厲兵，殺進對方「大本營」。
這一打破舊有格局的事件，將對產業造成什麼樣的影響？
關鍵是，對於苦等降價的消費者來說，手機的價格是不是終於要「便宜」了？
第二戰場
不等NAND擴產，利好消費者的消息已經傳來。
9月20日的世界製造業大會，長鑫科技（長鑫存儲母公司）宣布第五代技術平台量產，存儲密度大幅提升。同等條件下，每張晶圓的產出，與上一代平台相比，提升了50%以上。
長鑫存儲
意思是，同樣大小一張晶圓，新一代平台能比上一代多切出一半的晶元。這是非常驚人的技術突破，標志著長鑫在微縮工藝和架構設計上實現了重大升級，單顆高端內存的硬性製造成本至少下降超三分之一。
在半導體界，晶圓產出率就是核心競爭力。提升50%，能大幅度降低單顆晶元的成本，相當於產能變相暴漲，正好為「戧行」提供資金彈藥——正因為DRAM的成本因第五代平台量產而大幅降低，長鑫可以拿到更高的利潤率。「恐怖」的是，其2026年第二季度息稅前利潤率高達82%。
造NAND極其燒錢，其燒錢程度在整個工業界名列前茅。如果製造普通晶元是燒紙幣，製造先進NAND就跟「燒黃金」差不多，所以長江存儲正籌備上市。
NAND業已全面進入3D NAND時代，把電路像蓋樓一樣一層層疊起來以增加容量。行業從64層、128層，一路卷到300層、400層甚至更高。每往前推進一代，都需要重新設計材料結構，攻克物理極限，每一次技術路線的研發和試錯，都要至少砸進去幾十億元。
NAND架構示意圖
此番殺入NAND，長鑫存儲要在原本DRAM的巨額投入之外，再開闢一個同樣燒錢、技術難度極高的第二戰場。
好在長鑫不差錢。
7月27日正式登陸上交所科創板，長鑫科技創下亞洲年內規模最大、科創板史上最大的IPO，募資近580億元。首日股價暴漲超470%，收盤市值3.28萬億元，當下市值約5.98萬億元，力克工商銀行、貴州茅台，登頂A股上市公司市值榜首。在全球DRAM行業，長鑫科技市場份額超8%，僅次於三星、SK海力士和美光。
2025-2026第二季度全球DRAM市場按營收劃分的份額
據報道，長鑫計劃在北京新建工廠內設立NAND研發生產線，並已在北京成立研究機構，相關項目包括NAND技術研發。
「鴨子划水」
中國最大3D NAND巨頭長江存儲進軍DRAM，江湖人稱「鴨子划水」——水面之上風平浪靜，水面之下暗暗發力，早已秘密研發並完成了產品布局。
長江存儲切入DRAM這條賽道，一開始並沒有「大張旗鼓」，而是先研發、后建廠，秘密「潛伏」了一陣子。早在2025年4月，長江存儲已經將成功自研的低功耗內存樣品送到了核心客戶手中。到今年年初，長江存儲的LPDDR5進入樣品測試尾聲階段，預計在年底前便可根據客戶反饋敲定最終的量產決策。
製造DRAM同樣消耗晶圓廠的產能，長江存儲在武漢大本營建立了全新的第三座晶元工廠。這座工廠一半生產NAND，一半生產DRAM。一旦全面投產，該工廠將擁有月產10萬片12英寸晶圓的能力。
9月16日，據報道長江存儲已經著手該工廠的生產設備連接工作，年底初步投產前景日益明朗。
長江存儲能跨界做DRAM，一大核心原因是擁有名震天下的獨家專利架構——Xtacking（晶圓鍵合技術）。傳統DRAM製造，需要在同一片晶圓上把邏輯控制電路和存儲電容單元一起做出來，而利用Xtacking可以在兩片獨立晶圓上分別加工不同的電路，再通過數十億根垂直微通道將它們「合體」。
「霸主」三星與長江存儲正式簽署Xtacking混合鍵合專利許可協議，引起業內轟動。由於三星在其第10代及之後的V-NAND中很難繞開這項技術，不得不選擇向中國廠商支付專利費。
長江存儲自研Xtacking技術
長江存儲需要燒的錢不比長鑫存儲少。
隨著長鑫科技成功上市、笑傲群雄，長江存儲不甘示弱，其母公司長存集團的IPO申請於8月被上交所受理。長存集團擬募集330億元，超越了長鑫科技的紀錄（295億元），成為科創板歷史擬募資金額最高的項目。這筆資金中很大一部分將直接砸向支持DRAM製造的生產線。
IPO審核可謂「光速」推進。9月初，上交所正式發出首輪問詢，標志著審核流程進入快車道。市場普遍預測，其上市估值將達到3000億元。
今年年初開始，長江存儲迎來「名利雙收」。得益於AI算力、企業級SSD對NAND的大規模需求爆發，今年第一、二季度，長江存儲在NAND的出貨量和銷售額份額雙雙達到14%，歷史性地超越了美光和鎧俠，首次升至全球第三大NAND廠商，僅次於三星和SK海力士。
2026年第一、二季度，長鑫存儲NAND市場份額超過美光和鎧俠
長江存儲今年一季度營收470.42億元，歸母凈利潤333.79億元，僅一個季度的利潤就超過了2025年全年利潤的兩倍以上，綜合毛利率衝上76.77%的極高水平，盈利規模在單季度甚至一度壓過了長鑫科技。
火力交叉
市場預計長江存儲發行估值3000億元，跟長鑫上市估值5792億元差得不算太多。而且，DRAM的商業天花板天然高於NAND，其製造HBM（多層DRAM堆疊）的AI溢價也更高。
HBM工藝示意圖
按照當下局面，長鑫「戧行」做NAND，長江存儲「戧行」做DRAM，當長江存儲掛牌上市后，中國存儲「雙子星」在資本市場同台競技，兩者的市值差距會明顯縮小。
最有趣的是，兩家廠商雖然互相「戧行」，但在面對美國針對HBM的嚴苛封鎖，卻齊齊展現了極強的國家隊協同效應。
當下，制約國內AI晶元算力釋放的最大瓶頸就是HBM，二者的合作堪稱「默契」：首先，長鑫出原料，提供最基礎的DRAM晶圓，長存出技術，提供Xtacking。
同時，海外三巨頭做HBM，依賴的是微凸點技術和極紫外光刻機。長鑫存儲和長江存儲合作推進了20層HBM研發，嘗試用後者的銅-銅鍵合技術，將前者的DRAM直接「並」在一起。這個辦法不需要極紫外光刻機，用現有的國產DUV也能做。
另外，長鑫已經在其G4/G5工藝上，小規模試產了HBM3E模塊，將通過長江存儲的封裝方案，在2027年實現12層HBM3E的大規模擴產和量產，全方位供給國產AI伺服器。
在面對下遊客戶（如小米、傳音、阿里雲、騰訊以及朗科、江波龍等存儲模組廠）時，長鑫和長江存儲經常以「存算一體化國產組合」的姿態聯合進駐供應鏈。
比如，在智能手機或AI數據中心伺服器的採購上，長鑫的LPDDR5X和長江存儲的消費級/企業級NAND，企業乾脆「一站式」採購就是了。兩家產品在主板上的兼容性、聯合調優方面無縫集成，不僅面對西方買家有了更高的溢價籌碼，也讓國內客戶實現了存儲的100%國產自給自足。
而且，巨頭的產品「火力交叉」，一般都對消費者有利。中國兩家存儲企業逐漸轉型為全品類存儲巨頭，既能打破海外定價權，也能把越來越高的手機、PC價格「打下來」。
以前要多花1000元才能從12GB+256GB升級到24GB+1TB的手機配置，在二巨頭「戧行」擴產的情況下將不復存在。大內存將從「奢侈品」降級為「千元機標配」，數碼產品的起步規格被全線拉高。
就讓「1TB自由」快點到來。
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