中国长鑫存储芯片突破美国出口管制

尽管美国政府实施出口管制以限制中国企业的能力，但长鑫存储技术有限公司仍在芯片制造技术方面取得了进展。加拿大咨询公司TechInsights的研究显示，长鑫存储的DDR5动态随机存储器技术，在光威科技提供的内存模块中发现，需要的先进制造技术此前从未在中国市场上出现过。“这意味着他们已经找到了以商业规模设计和制造这种芯片的独特方法，”TechInsights称。“原预计要到2025年底或2026年初才能看到这种内存。”长鑫存储最新的芯片具有十六纳米的半间距。尽管如此，TechInsights 的数据显示，长鑫存储的最新技术仍落后韩国的SK海力士、三星电子以及美国的美光科技约三年。

—— 彭博社

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转自: 风向旗快讯