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中國長鑫存儲晶元突破美國出口管制

2025年01月29日 21:45

中國長鑫存儲突破

儘管政府實施出口管制以限制企業的能力，但長鑫存儲技術有限公司仍在晶元製造技術方面取得了進展。諮詢公司TechInsights的研究顯示，長鑫存儲的DDR5動態隨機存儲器技術，在光威科技提供的內存模塊中發現，需要的先進位造技術此前從未在上出現過。「這意味著他們已經找到了以商業規模設計和製造這種晶元的獨特方法，」TechInsights稱。「原預計要到2025年底或2026年初才能看到這種內存。」長鑫存儲最新的晶元具有十六納米的半間距。儘管如此，TechInsights 的數據顯示，長鑫存儲的最新技術仍落後韓國的SK海力士、以及美國的美光科技約三年。

—— 彭博社

轉自: 風向旗快訊